精雕细琢 七彩虹iGame 260+ UP烈焰战神全球首发评测
作者: realice 来源:
本站原创 发布时间: 2009-6-29 14:34
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显卡设计解析:
通过左下角的两颗空闲的显存位设计不难看出，这款非公版PCB是基于GeForce GTX 285的P891公版延伸而来，而并非第一版的P897公版，由于GeForce GTX 260+在显存规格上仅需14颗显存，所以PCB上空焊了两个显存位。
丰满的背面
iGame 260+定制加强版的供电电路依然延续了上一版中6+1相的供电，同样采用了松下SP-cap铝聚合物电容、R125封闭式电感和超低ESR的MOSET。与第一版iGame260+不同的是，iGame 260+定制加强版的供电输入端滤波电容由以前蓝色的日化NCC固态电容换成了紫色三洋顶级的SEPC固态电容，输入滤波电容同样是三洋SEPC固态电容。
核心供电每相由松下SP-cap铝聚合物电容、R125封闭式电感和一进两出的三个超低Rds(on)（3毫欧）的MOSFET管构成。
松下SP-cap铝聚合物电容
安森美超低Rds(on)的MOSFET
编号为K4J5234QH-HJ08的三星0.8ns显存，单颗64MB 、32BIT一共14颗构成了896MB/448bit的规格。
G200-103-B3标明核心制作为55纳米工艺。产品标配的核心是由台积电（TSMC）采用55nm工艺制造的G200-103-B3，相比65nm工艺制造的A2核心有着更好的超频体质和更低的发热量。
显存一相供电，使用了三颗松下SP-Cap高分子铝聚合物电容，两上两下的超低Rds(on)的MOSFET和R56屏蔽式电感，固态电容也换成了三洋直插固态电容里ESR最低的系列。
显卡背面的6相核心供电的PWM芯片 |
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